Терагерцовый импульсный рефлектометр TeraView EOTPR 2000

TeraView EOTPR 2000 используется для определения и быстрой локализации дефектов на соединениях в комплексном оборудовании - с помощью оптико-электронной терагерцовой импульсной рефлектометрии (ОЭТИР, OTPR). Инжектируемый импульс отражает неисправности в проверяемом устройстве, определяя их нахождение с точностью 10 мкм. Разработано совместно Intel и TeraView.

Использованные технологии включают перевернутый кристалл Flip Chip, корпус на корпусе Package-on-Package (PoP) и сквозные отверстия сквозь кремний Through-Silicon Vias (TSV). 

 Основные преимущества системы Teraview EOTPR 2000

• Быстрая неразрушающая локализация неисправностей – минуты вместо дней.
• Идентификация слабых соединений, которые могут провоцировать будущие неисправности
• Возможность локализации неисправностей, которые не были распознаны с помощью традиционного рефлектометра для измерения временных характеристик

Общие технические характеристики

Рисунок 1. Отражение от границы на тестовом устройстве. Подписи на рисунке: 10 µm steps - шаги 10 мкм; 10 repeat measurements collected at each step - 10 повторяющихся измерений, совершаемых при каждом шаге; Optical delay/ps - Оптическая задержка/пс.

Практический пример №1: исследование  целостности дорожек в корпусе интегральной схемы

• ТГц-EOTPR позволяет оператору быстро обнаружить дефект
• Дифференциация и локализация дефекта с помощью ТГц-EOTPR – разница в двух визуализированных линиях позволяет локализировать неисправность
• Расположение дефекта подтверждается данными рентгенографического анализа
  
  

Рисунок 2. Разрывы в интегральных схемах. Подписи на рисунке: FIB cuts in traces - ФИП-включения в следовых количествах.
 

Рисунок 3. Иллюстрация отображения разрывов в интегральной схеме. Подписи на рисунке: Open circuit features - Функции разомкнутой схемы; BGA feature - Функция BGA; Failed Device - Неисправное устройство; EOTPR (a.u.) - EOTPR (п.е.); µm - мкм; Distance into DUT (mm) - Расстояние в проверяемом устройстве (мм).

Практический пример №2 – Исследование целостности внутренних соединений в корпусе интегральной схемы

• В обоих устройствах A и B есть FIB-разрывы в идентичных линиях
• Место расположения разрыва в устройствах А и В разделены на 89 мкм (измеряется от BGA до начала FIB-разрыва)
• EOTPR позволяет точно определять разницу в расположении раз-рыва в контурах двух устройств
  
  

Рисунок 4. Дефект целостности внутреннего со-единения интегральной схемы. Данные от Intel pa-per, ECTC Proc. 2010. Подписи на рисунке: Falling unit - Непроходящий сигнал; Passing unit - Проходящий сигнал; Trace crack in substrate - Определение трещины в субстрате.